乾晶半导体
乾晶半导体是一家专注于碳化硅(SiC)衬底研发的半导体材料企业。碳化硅衬底是第三代半导体核心基础材料,突破单晶生长与加工良率瓶颈是该领域公认的卡脖子环节。公司在碳化硅晶体生长工艺、衬底加工等方面积累核心技术,致力于解决国产碳化硅衬底量产良率和成本问题,推动第三代半导体产业链自主可控。
待评估
缺少样机、中试或量产阶段证据
Pre-A/A轮
原始口径：Pre-A轮
半导体与集成电路
待核实
尚未收录专利或软著依据
评选判断
按照科研背景、技术创新、资本认可和赛道成长四个维度审阅
科研背景 · 30分
S级
院士牵头或担任首席科学家
技术创新 · 30分
依据已收录
关注首创性、量化指标和验证阶段
资本认可 · 25分
Pre-A/A轮
依据融资轮次、机构与持续跟投
赛道成长 · 15分
半导体与集成电路
关注市场空间、景气度与产业化路径
核心技术与产品
技术路线与产品形态
碳化硅衬底是第三代半导体核心基础材料,突破单晶生长与加工良率瓶颈是该领域公认的卡脖子环节。公司在碳化硅晶体生长工艺、衬底加工等方面积累核心技术,致力于解决国产碳化硅衬底量产良率和成本问题,推动第三代半导体产业链自主可控
技术栈
技术栈待补充
量化技术指标
量化技术指标待补充
独立创新点
- 乾晶半导体是一家专注于碳化硅(SiC)衬底研发的半导体材料企业。碳化硅衬底是第三代半导体核心基础材料,突破单晶生长与加工良率瓶颈是该领域公认的卡脖子环节。公司在碳化硅晶体生长工艺、衬底加工等方面积累核心技术,致力于解决国产碳化硅衬底量产良率和成本问题,推动第三代半导体产业链自主可控。
市场与竞争
目标细分
乾晶半导体是一家专注于碳化硅(SiC)衬底研发的半导体材料企业。碳化硅衬底是第三代半导体核心基础材料,突破单晶生长与加工良率瓶颈是该领域公认的卡脖子环节。公司在碳化硅晶体生长工艺、衬底加工等方面积累核心技术,致力于解决国产碳化硅衬底量产良率和成本问题,推动第三代半导体产业链自主可控。 【创始人/核心团队】杨德仁院士团队 【科研背景】浙大杭州国际科创中心碳化硅衬底项目,杨德仁院士指导 【所属赛道】半导体与集成电路 【提名机构】元禾原点
市场容量
市场容量待补充
竞争对手
竞争对手待补充
竞争优势
竞争优势待补充
商业模式
收入模式
收入模式待补充
定价策略
定价策略待补充
获客渠道
获客渠道待补充
融资信息
当前融资阶段
Pre-A轮
计划融资金额
计划融资金额待补充
融资历程
- 天使轮 2022.上半年(千万级) → Pre-A轮 2023.01(亿元,元禾原点领投,紫金港资本等跟投)
资金用途
资金用途待补充
待补充的关键评审证据
以下内容缺失不会自动扣分，但会影响评分可信度和项目横向比较。