铌奥光电

已认证
待初审

铌奥光电成立于2020年7月,总部南京,薄膜铌酸锂光芯片引领光通信芯片技术革新。全球极少数掌握TFLN光芯片全链条核心技术并实现规模量产的企业,产品覆盖800G/1.6T/3.2T光互联,完成数亿元B轮融资。

半导体与集成电路
科研背景 A级
已核实
社会公开征集池
技术成熟度(TRL)

待评估

缺少样机、中试或量产阶段证据

融资阶段

B轮

以候选资料披露口径为准

目标赛道

半导体与集成电路

知识产权

待核实

尚未收录专利或软著依据

评选判断

按照科研背景、技术创新、资本认可和赛道成长四个维度审阅

依据覆盖 4 / 4

科研背景 · 30分

待评分

A级

教授、研究员或博导创办

技术创新 · 30分

待评分

依据已收录

关注首创性、量化指标和验证阶段

资本认可 · 25分

待评分

B轮

依据融资轮次、机构与持续跟投

赛道成长 · 15分

待评分

半导体与集成电路

关注市场空间、景气度与产业化路径

TRL是辅助判断项,不直接替代四维评分;“待评分”表示资料已进入候选库,但评委尚未提交分数。

核心技术与产品

技术路线与产品形态

技术路线为薄膜铌酸锂(TFLN)电光调制:开发出超大调制带宽(>110GHz)、超低驱动电压(<1V)、小尺寸(平方毫米量级)的TFLN电光调制器,以分立MZM调制器为商业化主力、异质集成(TFLN小芯片转移键合至硅光基板)为下一代差异化路线。产品矩阵:AI集群Scale-out短距光互联的800G/1.6T/3.2T IMDD光芯片;Scale-across与电信骨干网长距互联的800G/1.6T ZR相干光芯片(128G Baud PDM-IQ);67GHz/110GHz超高带宽强度调制器,面向微波光子与高速科研测试仪器。采用IDM全栈模式,自建'晶圆进—芯片出'工艺平台,支持BOX、COB、光引擎封装并交付KGD裸芯片与预封装器件,向NPO近封装小芯片延伸;应用覆盖AI数据中心光互联、通信网络、激光雷达、光计算等场景。

技术栈

技术栈待补充

量化技术指标

量化技术指标待补充

独立创新点

  • 铌奥光电成立于2020年7月,总部南京,薄膜铌酸锂光芯片引领光通信芯片技术革新。全球极少数掌握TFLN光芯片全链条核心技术并实现规模量产的企业,产品覆盖800G/1.6T/3.2T光互联,完成数亿元B轮融资。

市场与竞争

目标细分

铌奥光电(江苏铌奥光电科技有限公司)成立于2020年7月,总部位于南京鼓楼区,并在广州布局半导体子公司,系高新技术企业。创始人兼董事长蔡鑫伦为中山大学教授、博导,核心团队由光电子领域知名科学家与业界资深产业人士组成。公司专注薄膜铌酸锂(TFLN)调制器及相关高端光芯片的设计、研发和销售,构建了基于TFLN的新一代光子芯片设计、制造和封装全链条自主工艺平台,具备大规模量产及交付能力,是全球极少数掌握薄膜铌酸锂光芯片全链条核心技术并实现规模量产的企业:6英寸TFLN产线已量产(6英寸当量年产能3-5万片并持续爬坡),8英寸完成工艺开发与小批量试制。产品覆盖数据中心、通信网络、仪器仪表及自动驾驶领域,与多家全球头部科技企业达成深度战略合作,多款核心产品实现规模化商业应用;团队成果入选2022'中国光学十大进展',2026年8月完成高瓴创投、云锋基金等数亿元B轮融资。

市场容量

市场容量待补充

竞争对手

竞争对手待补充

竞争优势

竞争优势待补充

商业模式

收入模式

收入模式待补充

定价策略

定价策略待补充

获客渠道

获客渠道待补充

融资信息

当前融资阶段

B轮

计划融资金额

计划融资金额待补充

融资历程

  • 天使轮 2021.06(立达资本、南京产业发展基金、文创达、共青城裕能) → A轮 2023.04(数亿元,基石资本领投,毅达资本、合创资本跟投) → A+轮 2025.01(近亿元,金浦智能领投,广州产投、万联广生跟投) → B轮 2026.08(数亿元,高瓴创投、云锋基金、诚通科创、国开科创、联想创投、南芯科创、粤财创投等,老股东南京市创新投资、金浦资本、毅达资本、广州产投追投)

资金用途

资金用途待补充

待补充的关键评审证据

以下内容缺失不会自动扣分,但会影响评分可信度和项目横向比较。

技术成熟度与样机/中试依据
专利、软著及权属依据
可量化技术指标
市场规模与测算口径
竞品与替代方案
收入模式
计划融资金额
资金用途