镓仁科技
氧化镓单晶衬底与外延片国产供应商。第四代超宽禁带半导体氧化镓(β-Ga2O3)单晶衬底与同质外延片。自主铸造法长晶工艺,掌握设备—热场—长晶—加工全链条;2025年生长全球首颗8英寸氧化镓单晶,2026年建成全球首条6/8英寸同质外延量产线并实现12英寸晶体等径生长,同质厚膜外延片已通过肖特基二极管器件验证。
待评估
缺少样机、中试或量产阶段证据
Pre-A/A轮
原始口径：A轮
半导体与集成电路
待核实
尚未收录专利或软著依据
评选判断
按照科研背景、技术创新、资本认可和赛道成长四个维度审阅
科研背景 · 30分
S级
院士牵头或担任首席科学家
技术创新 · 30分
依据已收录
关注首创性、量化指标和验证阶段
资本认可 · 25分
Pre-A/A轮
依据融资轮次、机构与持续跟投
赛道成长 · 15分
半导体与集成电路
关注市场空间、景气度与产业化路径
核心技术与产品
技术路线与产品形态
第四代超宽禁带半导体氧化镓(β-Ga2O3)单晶衬底与同质外延片。自主铸造法长晶工艺,掌握设备—热场—长晶—加工全链条;2025年生长全球首颗8英寸氧化镓单晶,2026年建成全球首条6/8英寸同质外延量产线并实现12英寸晶体等径生长,同质厚膜外延片已通过肖特基二极管器件验证;与深圳平湖实验室合作开发Mg(镁)掺杂氧化镓光导开关,在耐压、开关比和响应速度等指标上取得积极进展;布局氧化镓外延技术、无铱工艺等技术路线;已向头部芯片客户批量供货;牵头立项氧化镓晶体生长用保温制品相关团体标准,并参与氧化镓材料检测方法标准制定
技术栈
技术栈待补充
量化技术指标
量化技术指标待补充
独立创新点
- 氧化镓单晶衬底与外延片国产供应商。第四代超宽禁带半导体氧化镓(β-Ga2O3)单晶衬底与同质外延片。自主铸造法长晶工艺,掌握设备—热场—长晶—加工全链条;2025年生长全球首颗8英寸氧化镓单晶,2026年建成全球首条6/8英寸同质外延量产线并实现12英寸晶体等径生长,同质厚膜外延片已通过肖特基二极管器件验证。
市场与竞争
目标细分
氧化镓单晶衬底与外延片国产供应商。第四代超宽禁带半导体氧化镓(β-Ga2O3)单晶衬底与同质外延片。自主铸造法长晶工艺,掌握设备—热场—长晶—加工全链条;2025年生长全球首颗8英寸氧化镓单晶,2026年建成全球首条6/8英寸同质外延量产线并实现12英寸晶体等径生长,同质厚膜外延片已通过肖特基二极管器件验证。 创始人/核心团队:张辉、杨德仁(首席顾问)(张辉:浙江大学及杭州国际科创中心教授·博导;杨德仁:中国科学院院士(首席顾问));所属赛道:半导体与集成电路;提名/投资机构:社会公开征集
市场容量
市场容量待补充
竞争对手
竞争对手待补充
竞争优势
竞争优势待补充
商业模式
收入模式
收入模式待补充
定价策略
定价策略待补充
获客渠道
获客渠道待补充
融资信息
当前融资阶段
A轮
计划融资金额
计划融资金额待补充
融资历程
- 天使轮 2023.04(数千万,蓝驰创投领投,禹泉资本、毅岭资本跟投) → Pre-A轮 2024.08(近亿元,九智资本领投、普华资本共同投资) → A轮 2025.11至2026.08(数亿元,方广资本、深创投联合领投,远致星火、中国中车、株洲高科产投、华睿投资、余杭金控、传化资本、嘉道资本跟投)
资金用途
资金用途待补充
待补充的关键评审证据
以下内容缺失不会自动扣分，但会影响评分可信度和项目横向比较。