候选项目库

核心技术方向包括表面活化室温键合、异质集成复合衬底等前沿方向,致力于解决半导体衬底制备中的关键瓶颈问题。室温键合技术可在不经过高温退火的情况下实现晶圆级键合,大幅降低工艺能耗并拓展异质材料集成可能性,对先进半导体器件制造具有重要战略意义

全球首创三维存算一体3D-CIM架构,用国产成熟工艺跑出等效7nm算力,绕开先进制程封锁。技术路线通过晶圆混合键合将存储与计算单元三维堆叠,融合DRAM三维近存计算、SRAM存算一体与RISC-V异构存算,消除数据搬运开销,破解传统冯·诺依曼架构的“存储墙”“功耗墙”瓶颈;实测流片结果显示算力密度提升4至6倍、能效比提升5至10倍。产品矩阵分两条路线:端侧LP-CIM系列与存储原厂深度协同,面向AI手机、AI PC、AI NAS、智能穿戴等场景;云侧PCIe标准接口芯片依托22nm国产成熟工艺,对标同类海外产品综合算力表现,并配套自研编译工具链、系统软件与大模型部署全软件栈。三维存算一体AI推理芯片将于近期实现规模量产,应用覆盖端、边、云全梯度算力与具身智能设备。

卡脖子国产DPU头部·国家专精特新小巨人。技术方向:DPU芯片设计。技术路线为独创的KPU专用计算架构,并形成DSA领域专用计算架构加软件定义加速器(SDA)路线。产品分三系列:SWIFT思威高性能通用网络加速卡,企业称国内唯一核心技术完全自主研发的超低时延网卡,实测时延1.2μs,为Mellanox极速网卡的2—5倍;FLEXFLOW福来DPU智能网卡;CONFLUX功夫领域专用加速卡,为国内首款SQL运算加速卡,实测性能提升一个数量级。已完成三款DPU芯片迭代。

晶圆级光学(WLO)与光集成,以半导体工艺制造微纳光学元件,构建设计—母版—量产—检测全栈IDM闭环。三大产品线为3D传感微纳光学(供货国际一线手机厂商、出货数千万颗)、AR衍射光波导(含全息光栅、纳米压印与光刻刻蚀,国内出货第一)及车载激光雷达与光通讯微纳光纤;拥有47+项核心专利,为全球少数实现数千万颗级WLO量产企业。

公司在江阴拥有6/8吋自主产线并批量出货,致力于替代英飞凌/ST等国际大厂产品。SiCMOSFET相比传统硅基IGBT具有更低导通损耗和更高开关频率,在新能源汽车、光伏逆变器、工业电源等领域具有显著优势。国内SiCIDM企业稀缺,公司具有战略价值

传感测控芯片是物联网、工业自动化、消费电子等领域的核心基础元件,用于感知和转换物理信号。公司在传感测控芯片设计方面具有技术积累,致力于开发高性能、低功耗的传感芯片解决方案

技术方向:高性能微波/毫米波射频芯片(MMIC)与射频前端系统,覆盖 S 至 W 全频段。产品与亮点:倍频器、混频器、放大器、射频功率分配器等;国内已知唯一可批量供应完整覆盖 40–96GHz 毫米波集成前端(收发信机)芯片的厂商,已授权发明专利 25 项,国家级高新技术企业。

感存算一体架构引领类脑芯片前沿方向。技术方向:感存算一体芯片。聚焦超低功耗传感器端人工智能芯片,采用模数混合计算技术路线,以独有的模数混合计算芯片实现DNN;超低功耗(1μW起)、超高效率(20-50Tops/W)、低成本片上存储。三类产品方向:高速视觉处理芯片(低延迟高速图像/视频处理与辅助驾驶等)、超低功耗声音处理芯片(超低延迟语音交互与永久在线唤醒)、高速ADC芯片(用于通信与医疗)。竞品含Syntiant、Mythic、知存科技、AIstorm与Gyrfalcon。

公司技术路线为空间激光通信终端,核心为全自研ATP技术,掌握大动态范围、高带宽跟踪及微振动主动补偿等关键技术,实现无恒星标校模式下首次发令即建链、非测控区自动建链、建链成功率100%、通信误码率0。产品分五大系列,通信速率覆盖2.5Gbps至100Gbps;通过可变发散角等技术实现轻量化迭代,终端重量从14.5kg降至4.9kg。公司具备千台级量产能力,作为星地激光通信终端核心供应商支撑卫星互联网星座组网,未来延展至飞机、船舶、地面基站等全场景无线光网络,并联合产业链攻克高端芯片、高功率激光器等"卡脖子"环节。

稀疏化计算架构开辟AI芯片效率提升新路径。技术方向:稀疏化AI芯片。公司以双稀疏算法(权重与激活双稀疏,支持32倍稀疏率)与自研Antoum架构为核心,稀疏处理单元实现线性加速比,计算单元与大带宽片上存储紧耦合,支持卷积与矩阵乘法及算子融合。实测数据:S30计算卡在250W功率下提供等效2832 TOPS INT8与1415.4 TFLOPS BF16算力(32倍稀疏),ResNet-50稀疏等效算力95,784 FPS,以12nm制程达到4nm制程GPU产品的1.2倍、功耗仅为其1/3;S40计算卡ResNet-50算力127,375 FPS,达英伟达H100的1.4倍、A100的2.9倍;在1760亿参数BLOOM模型上4张S30实现25 tokens/s生成速度、超过8张A100,支持千亿参数级大模型单卡运行。产品矩阵包括S4/S10/S30/S40计算卡与SparseRT软件栈,应用于云端与边缘AI推理。

薄膜铌酸锂(TFLN)IDM平台。以特殊微纳加工工艺实现铌酸锂薄膜刻蚀,使波导侧壁极光滑,解决工业级量产的表面粗糙痛点;自研折叠型马赫-曾德尔调制器、分布式光强调制器、共面波导线电极结构等高速电光调制器与光芯片,用于高速光通信、可穿戴设备与汽车激光传感,产业化进度居世界前列。