候选项目库

技术方向:视频与生成式视频专用算力芯片,深度融入 RISC-V 生态,首创延迟确定性 DiPU 数据流架构与 3D 近存架构。产品与亮点:SL200 智能视频 SoC 及 Nano/Pro 加速卡、边缘算力盒子;MSU 世界视频编码大赛连续三届商业化赛道全部子赛道第一,较英伟达最新 AV1 方案压缩效率提升 30%–35%,累计出货近十万颗,快手直播转码覆盖率 99.7%。

公司实现全栈自主SPADIP,是国内唯一同时量产dToF(直接飞行时间)深度传感与PCI(光子计数成像)芯片的企业。SPAD芯片是3D感知和单光子探测的核心器件,在自动驾驶激光雷达、手机3D人脸识别、科学成像等领域应用广泛。公司填补国内高端SPAD芯片量产空白。产品覆盖单点、面阵、线阵及车载扫描式/固态式激光雷达方案,2022年8月PCL7150、DTS3040小批量交付;自研TDC 48ps对100ps,SPAD量产良率95%对70%;主要产品被Sony、ST、AMS垄断。

公司牵头制定端侧AI芯片3DDRAM集成技术标准,在Chiplet(芯粒)和先进封装方向布局。随着AI模型越来越大,端侧(手机、IoT设备)部署AI推理成为重要趋势,对端侧AI芯片的算力和能效提出更高要求。公司在3D堆叠集成技术方面具有先发优势

上海澜昆微电子科技有限公司成立于2024年,专注硅光集成技术与光电共封装解决方案。致力于研发面向光电合封的CMOS专用Driver/TIA芯片和光电集成的单片硅光收发引擎。在首届张江杯硅光创新创业大赛获一等奖。2026年4月与沐创集成电路联合发布国产首款光电共封装(CPO)智能网卡

技术路线为摒弃HBM,采用LPDDR乃至NAND等低成本存储介质替代显存,通过介质替换使显存成本降低1到2个数量级,并以多颗粒、多通道并行设计将整体带宽提升至TB级别,对标特斯拉AI5芯片的设计理念。已推出"褐蚁"一体机,将运行满血版DeepSeek大模型的成本从百万元级拉至十万元级,并在DeepSeek本地化部署场景落地;自研GPGPU芯片预计2026年完成流片,目标兼顾大容量显存、高带宽、低功耗与低成本,推动AI部署成本从"十万档"向"万元档"迈进,并保持CUDA兼容与极致软件亲和。

“无损键合、光电一芯”路线:自研无损像素隔离技术,以独创电性绝缘架构在像素间搭建“电性隐形墙”,不对发光材料量子阱做物理刻蚀,从根源规避刻蚀损伤;结合混合键合3D先进封装实现光芯片与电芯片垂直堆栈互联,已实现3.75微米像素内超精细间距键合(未来可降至2微米),团队曾实现最小pitch 0.7微米混合键合量产工艺。关键指标:像素良率6N(99.9999%)以上,出光角度由±60°收窄至±10°,工作温度超140°C,红光电光转换效率预期突破20%。产品矩阵:0.61英寸四万像素数字车灯芯片(完成送样验证)、AR单绿/红光芯片(2026年出货)、RGB单色芯片(2026年量产)、013红光光机(0.15立方厘米内640×480分辨率)。应用:AR/AI眼镜全彩微显示、车载显示、CPO光通讯。

高性能射频SoC(捷变频射频收发/相控阵TR芯片),打破ADI/TI垄断。BR3109宽带捷变频射频收发芯片获世界雷达博览会银奖,BR3102窄带捷变频射频收发芯片获优秀奖。入选四川省首批"种子独角兽"企业

技术路线聚焦数据中心高速光互联,解决AI算力通信瓶颈:以自研OIO光IO芯粒为核心,采用芯粒化架构与NPO/CPO(近封装/共封装光学)封装路径,覆盖高速光芯片、电芯片、先进3D光电封装与高效光耦合四大全自研环节。第一代产品将8个主流800G光模块的传输能力集成于单颗6.4T光互连芯片,单路速率200G,同等传输能力下体积仅传统方案1/10-1/5、功耗降至1/3、延迟降至1/100,面向GPU直连的Scale-up超节点网络与高密度Scale-out集群。产品形态包括独立光IO芯粒(支持NPO、CPO、XPO多种封装)、1.6T及以上高速硅光芯片与配套电芯片。封装工艺与芯片研发并行推进,目前芯片已完成测试点亮,客户排队测试,预计2027年下半年量产,客户覆盖云厂商、GPU厂商、系统集成商及光模块厂商。