候选项目库

公司技术兼容标准CMOS工艺,基于清华十余年成果转化。超光谱成像可同时获取空间信息和光谱信息,在遥感监测、食品安全、医疗诊断、国防侦察等领域具有广泛应用。公司致力于将超光谱成像芯片小型化、低成本化,推动其在消费电子和工业检测中的普及应用

薄膜铌酸锂(TFLN)具有优异电光效应和宽透光窗口,在高速光通信、量子信息和传感等领域应用前景广阔。公司致力于将薄膜铌酸锂材料制备、器件设计与芯片集成技术相结合,开发高速光通信核心器件,突破传统材料在带宽和集成度方面的瓶颈,为下一代光互联基础设施提供核心芯片解决方案

公司迭代研发三代真空气压式纳米压印系统并形成超高温真空热压机型;2024年实现半导体级真空气压式纳米压印的光芯片DUV量产替代,成本降至DUV的1/10;2026年交付国产首台半导体级纳米压印光刻机。设备+材料+工艺闭环:在8英寸硅晶圆上以纳米压印实现光子芯片量产,全程无需DUV光刻机,成本约为传统方案十分之一。产品矩阵涵盖桌面式/研发型/量产型纳米压印设备与全体系纳米压印材料,应用覆盖芯片半导体制造、LED芯片、光电显示、生物医学、钙钛矿新能源等;客户包括美国南加州大学、新加坡南洋理工大学、加拿大滑铁卢大学微纳加工平台等国内外科研与产业客户。

薄膜铌酸锂(业内称“光学硅”)电光调制芯片及光子集成平台,替代意/美进口,解决光通信卡脖子问题。关键指标:单通道物理带宽200GHz以上、支持单通道200Gbps及以上传输;TFLN-110GHz强度调制器3dB带宽≥65GHz、6dB带宽≥100GHz、半波电压≤3.5V、插损≤4.5dB;通信速率较上一代体材料调制器快5-6倍。产品矩阵:强度/相位调制器芯片、阵列芯片、相干调制器芯片、多功能芯片、定制化光子芯片及射频封装调制器标准品,研发可支持3.2T超高速光模块的芯片。应用:800G/1.6T/3.2T高速光模块、数据中心、宽带电信、航空航天、激光雷达、量子通信等场景。

国内首条二维半导体工程化示范线。全球首款二维32位RISC-V处理器(良率99.77%),绕开硅基制程封锁

解决GPU间高速互联瓶颈,释放集群算力效能。技术方向:GPU间芯片通信。公司全栈自研Scale-up超节点互联方案ACCLink+ACCSwitch,对标英伟达NVLink+NVSwitch架构:ACCLink协议支持XPU间低时延无损通信,可实现纳秒级时延,具备Load/Store等完整指令语义,支持动态多播、在网计算、信用流控、缓存一致性与池化能力;ACCSwitch交换芯片最高支持4096个XPU互联、512个XPU组播优化,并兼容多种Scale-up网络协议,解决不同协议规范导致的互连互通难题。已完成ACCLink IP协议硅验证,正与国内XPU厂商围绕新一代AI芯片及超节点通信方案开展联合设计开发,并与整机厂商、运营商、云厂商在整机预研、Scale-up光互联等方向合作,为智算超节点提供Scale-up通信协议系统级解决方案、异构融合解决方案及万卡集群工程方案。

3D芯片架构提升算力密度与能效比。技术方向:3D算力芯片。AI大模型推理3D定制化芯片,通过3D IC架构解决“内存墙”难题;提出3D TokenPU立体架构,业界首家采用混合键合工艺实现3D堆叠芯片研发与大规模量产;2025年8月申请“交叉开关、片上系统及其访问控制方法、芯片”等核心专利

集成电路前道工艺量检测设备,主打以套刻误差(Overlay)为核心的套刻量测装备及缺陷检测设备,为光刻大批量生产提供眼睛与尺子;设备误差需控制在允许误差的1/10(9nm套刻误差对应0.9nm),直接影响光刻良率;面向16nm以下先进制程需求;团队来自美国KLA上海研发中心、中科院微电子所与清华精仪系。路线:IBO用于28~14nm、DBO用于20~10nm;关键指标Precision<0.6nm;企业称前道量检测设备被KLA垄断(占有率56%)、国产套刻设备占有率<5%。

脉冲视觉(Vidar)类脑/神经形态视觉芯片与高速相机。不同于传统定时曝光静态成像,在像素级用脉冲流逼近光的高速时空变化,输出0/1比特流阵列,实现超高速、高动态、无运动模糊连续成像;采样频率达4万Hz,比传统视频快千倍;基于成熟集成电路工艺研制高速视觉芯片、相机与机器视觉系统,专利在中美日韩欧授权。