候选项目库

纳米压印光刻(NIL)设备。相对EUV采购成本仅其数分之一、制造成本降低约40%,兼具超高分辨率与低能耗,被视为有望替代EUV的下一代光刻路线;自研对准精度、压印速率等核心模块,产品含ImprioVerse纳米压印设备与STPSENN步进重复式多功能平台,首台套已进入总装调试;公司为国内稀缺的半导体级纳米压印设备研发团队,作为唯一设备合作方参与张江实验室纳米压印项目

先进封装与化合物半导体材料,专注于集成电路先进封装关键材料研发生产销售。自主研发晶圆减薄临时键合材料已成功导入国内集成电路封测龙头企业,全面支撑终端应用企业规模化量产,彻底打破发达国家长期垄断。申请临时键合材料相关发明专利70余件获授权20余件/PCT2件

公司技术路线覆盖ArF与KrF(248nm)准分子激光光源,核心技术包括高功率准分子激光、高压脉冲电源、精密光学与控制系统,已掌握重频4kHz的193nm光刻光源核心技术。2020年交付国内首台40kW ArF光刻光源,支持28nm制程节点,打破美系长期垄断。产品矩阵包括RS222型光刻准分子激光器、KrF光源、IC检测激光器及OLED激光剥离设备(市占率70%以上),并启动LPP-EUV极紫外光源预研;配套建设总投资5亿元、年产30台(套)的光刻光源制造基地,产品应用于DUV光刻机光源系统。

公司技术路线为硅光集成调频连续波(FMCW)相干探测+硅光固态扫描。相干探测使信噪比提升10^6倍、具备单光子探测能力,光源出射功率降至毫瓦量级;基于多普勒效应输出实时瞬态速度点云(4D数据),测距精度达毫米级,抗日光与其他激光雷达干扰。2024年9月发布全球首个单片全集成FMCW硅光芯片,将激光器、硅光芯片与光学组件集成于毫米级单颗芯片。产品矩阵包括F系列车载FMCW激光雷达、DS系列固态补盲雷达、DM系列3D ToF相机,应用于辅助驾驶与自动驾驶、割草机器人、3D立体安全防护、软包拆垛、罐口定位等场景。

硅基Micro LED(LEDoS)微显示芯片与模组。走外延+芯片一体化路线,自研外延与芯片工艺,经设备自主改造与刻蚀、沉积工艺优化形成垂直一体化;已点亮0.12/0.13英寸RGB Micro LED屏体,2026年1月中试线全流程贯通并启动量产投片,面向AR眼镜近眼显示、车载显示与可见光通信;0.13英寸单绿色LeDOS微显示屏已实现量产出货,产品采用1英寸芯片尺寸,在亮度和功耗方面表现优异

以 IDM(垂直整合制造)模式运行,具备 GaAs 与 InP 双材料平台及自建无接触 FAB,主攻相干通信、卫星通信、数据中心互联与高速光芯片。GaAs 核心产品 1000mW 974nm/976nm 泵浦激光芯片光电性能与可靠性对标美国同级产品,制造成本约为国外的 50%;新款 Nova 980nm 泵浦芯片可在 -45°C~85°C 稳定输出超 1000mW、阈值电流低于 70mA。国内少数掌握高可靠出光腔面处理 WXP 技术及全部近 600 步 1310/1550nm 可调激光芯片工艺(含 5 次外延再生长)的企业,属高端光芯片进口替代方向。

广州晶优电子科技有限公司成立于2005年,位于广州高新技术产业开发区,专精特新中小企业、高新技术企业。专注于高精度晶体振荡器(频率元器件)研发生产销售,产品覆盖SPXO、VCXO、TCXO/VCTCXO、OCXO四大类。具备DIP插件式和SMD表面贴装式两种封装,在民用通信、卫星导航领域处于国内领先水平。拥有52项专利、37个注册商标,产品广泛应用于通讯基站、北斗/GPS系统等领域

LPWAN技术包括NB-IoT、LoRa等,具有覆盖广、功耗低、连接数多等特点,是物联网大规模部署的关键通信技术。公司致力于研发高性能LPWAN通信芯片,为智能家居、智慧城市、工业物联网等场景提供低成本高可靠的物联网连接解决方案。自主LPWAN技术为TurMassTM,核心为mGFRA(基于mMIMO的免许可随机接入),星形带中继架构;较LoRaWAN传输速率2Kbps对0.293Kbps、上行并发数240对1;产品含终端SoC TL2020与网关TLG800;已申请二十余项发明专利。