候选项目库

公司推出国际首个Flash存算一体芯片实现量产,并已导入华为/vivo供应链。存算一体架构将存储和计算融合在同一芯片中,突破传统冯·诺依曼架构的存储墙瓶颈,在AI推理场景下可大幅降低功耗提升能效。公司已实现产品化落地并获得头部客户订单

公司提供自主可控的RISC-V处理器核IP及完整工具链,致力于构建国产处理器指令集生态。RISC-V作为开源指令集架构,被视为打破ARM/x86垄断、实现处理器IP自主可控的重要路径。公司在RISC-V生态建设方面处于国内领先地位

公司实现全栈自主SPADIP,是国内唯一同时量产dToF(直接飞行时间)深度传感与PCI(光子计数成像)芯片的企业。SPAD芯片是3D感知和单光子探测的核心器件,在自动驾驶激光雷达、手机3D人脸识别、科学成像等领域应用广泛。公司填补国内高端SPAD芯片量产空白。产品覆盖单点、面阵、线阵及车载扫描式/固态式激光雷达方案,2022年8月PCL7150、DTS3040小批量交付;自研TDC 48ps对100ps,SPAD量产良率95%对70%;主要产品被Sony、ST、AMS垄断。

公司牵头制定端侧AI芯片3DDRAM集成技术标准,在Chiplet(芯粒)和先进封装方向布局。随着AI模型越来越大,端侧(手机、IoT设备)部署AI推理成为重要趋势,对端侧AI芯片的算力和能效提出更高要求。公司在3D堆叠集成技术方面具有先发优势

公司在江阴拥有6/8吋自主产线并批量出货,致力于替代英飞凌/ST等国际大厂产品。SiCMOSFET相比传统硅基IGBT具有更低导通损耗和更高开关频率,在新能源汽车、光伏逆变器、工业电源等领域具有显著优势。国内SiCIDM企业稀缺,公司具有战略价值

上海澜昆微电子科技有限公司成立于2024年,专注硅光集成技术与光电共封装解决方案。致力于研发面向光电合封的CMOS专用Driver/TIA芯片和光电集成的单片硅光收发引擎。在首届张江杯硅光创新创业大赛获一等奖。2026年4月与沐创集成电路联合发布国产首款光电共封装(CPO)智能网卡

传感测控芯片是物联网、工业自动化、消费电子等领域的核心基础元件,用于感知和转换物理信号。公司在传感测控芯片设计方面具有技术积累,致力于开发高性能、低功耗的传感芯片解决方案

技术方向:高性能微波/毫米波射频芯片(MMIC)与射频前端系统,覆盖 S 至 W 全频段。产品与亮点:倍频器、混频器、放大器、射频功率分配器等;国内已知唯一可批量供应完整覆盖 40–96GHz 毫米波集成前端(收发信机)芯片的厂商,已授权发明专利 25 项,国家级高新技术企业。

技术路线为摒弃HBM,采用LPDDR乃至NAND等低成本存储介质替代显存,通过介质替换使显存成本降低1到2个数量级,并以多颗粒、多通道并行设计将整体带宽提升至TB级别,对标特斯拉AI5芯片的设计理念。已推出"褐蚁"一体机,将运行满血版DeepSeek大模型的成本从百万元级拉至十万元级,并在DeepSeek本地化部署场景落地;自研GPGPU芯片预计2026年完成流片,目标兼顾大容量显存、高带宽、低功耗与低成本,推动AI部署成本从"十万档"向"万元档"迈进,并保持CUDA兼容与极致软件亲和。

“无损键合、光电一芯”路线:自研无损像素隔离技术,以独创电性绝缘架构在像素间搭建“电性隐形墙”,不对发光材料量子阱做物理刻蚀,从根源规避刻蚀损伤;结合混合键合3D先进封装实现光芯片与电芯片垂直堆栈互联,已实现3.75微米像素内超精细间距键合(未来可降至2微米),团队曾实现最小pitch 0.7微米混合键合量产工艺。关键指标:像素良率6N(99.9999%)以上,出光角度由±60°收窄至±10°,工作温度超140°C,红光电光转换效率预期突破20%。产品矩阵:0.61英寸四万像素数字车灯芯片(完成送样验证)、AR单绿/红光芯片(2026年出货)、RGB单色芯片(2026年量产)、013红光光机(0.15立方厘米内640×480分辨率)。应用:AR/AI眼镜全彩微显示、车载显示、CPO光通讯。

前道量检测是芯片制造过程中不可或缺的质量控制环节,用于在晶圆加工各步骤检测缺陷、测量薄膜厚度、测量线宽等关键参数。随着先进制程节点不断缩小,对量检测精度要求越来越高,目前该领域主要由美国KLA等海外企业垄断。公司致力于开发具有自主知识产权的前道量检测设备,推动国产半导体量检测设备产业化

公司技术路线为硅光集成调频连续波(FMCW)相干探测+硅光固态扫描。相干探测使信噪比提升10^6倍、具备单光子探测能力,光源出射功率降至毫瓦量级;基于多普勒效应输出实时瞬态速度点云(4D数据),测距精度达毫米级,抗日光与其他激光雷达干扰。2024年9月发布全球首个单片全集成FMCW硅光芯片,将激光器、硅光芯片与光学组件集成于毫米级单颗芯片。产品矩阵包括F系列车载FMCW激光雷达、DS系列固态补盲雷达、DM系列3D ToF相机,应用于辅助驾驶与自动驾驶、割草机器人、3D立体安全防护、软包拆垛、罐口定位等场景。

高性能射频SoC(捷变频射频收发/相控阵TR芯片),打破ADI/TI垄断。BR3109宽带捷变频射频收发芯片获世界雷达博览会银奖,BR3102窄带捷变频射频收发芯片获优秀奖。入选四川省首批"种子独角兽"企业

致力于以光代电,利用光子替代传统电子进行信息处理和传输,从根本上突破传统硅基芯片的算力能效瓶颈。光子计算具有超高带宽、超低功耗、抗电磁干扰等天然优势,被认为是突破摩尔定律瓶颈、满足AI大模型时代指数级增长算力需求的核心技术路线之一

硅基Micro LED(LEDoS)微显示芯片与模组。走外延+芯片一体化路线,自研外延与芯片工艺,经设备自主改造与刻蚀、沉积工艺优化形成垂直一体化;已点亮0.12/0.13英寸RGB Micro LED屏体,2026年1月中试线全流程贯通并启动量产投片,面向AR眼镜近眼显示、车载显示与可见光通信;0.13英寸单绿色LeDOS微显示屏已实现量产出货,产品采用1英寸芯片尺寸,在亮度和功耗方面表现优异

以 IDM(垂直整合制造)模式运行,具备 GaAs 与 InP 双材料平台及自建无接触 FAB,主攻相干通信、卫星通信、数据中心互联与高速光芯片。GaAs 核心产品 1000mW 974nm/976nm 泵浦激光芯片光电性能与可靠性对标美国同级产品,制造成本约为国外的 50%;新款 Nova 980nm 泵浦芯片可在 -45°C~85°C 稳定输出超 1000mW、阈值电流低于 70mA。国内少数掌握高可靠出光腔面处理 WXP 技术及全部近 600 步 1310/1550nm 可调激光芯片工艺(含 5 次外延再生长)的企业,属高端光芯片进口替代方向。

核心路线为SRAM存算一体:将计算单元嵌入存储阵列,打破'存储墙'与'功耗墙',属卡脖子颠覆性存算一体架构。自研第二代存算一体IP实现双端口加载与计算并行、按比特串行计算,配合'天璇'IPU架构的弹性计算(bit级稀疏加速,最高160%加速效果)与原生浮点运算(FP16模型免量化直接部署)。最新产品M50芯片物理算力160TOPS@INT8、100TFLOPS@bFP16,搭配最大48GB内存与153.6GB/s带宽,典型功耗仅10W,可让PC、机器人等智能终端高效运行1.5B-70B参数本地大模型;配套自研'后摩大道'编译器工具链与存算算子库,支持7bit、6bit、5bit超低精度量化。产品覆盖AI PC、智能办公、智能工业等端边场景,智驾方向与新石器无人车、环宇智行合作;下一代DRAM-PIM技术目标突破1TB/s片内带宽。

感存算一体架构引领类脑芯片前沿方向。技术方向:感存算一体芯片。聚焦超低功耗传感器端人工智能芯片,采用模数混合计算技术路线,以独有的模数混合计算芯片实现DNN;超低功耗(1μW起)、超高效率(20-50Tops/W)、低成本片上存储。三类产品方向:高速视觉处理芯片(低延迟高速图像/视频处理与辅助驾驶等)、超低功耗声音处理芯片(超低延迟语音交互与永久在线唤醒)、高速ADC芯片(用于通信与医疗)。竞品含Syntiant、Mythic、知存科技、AIstorm与Gyrfalcon。

公司技术路线为空间激光通信终端,核心为全自研ATP技术,掌握大动态范围、高带宽跟踪及微振动主动补偿等关键技术,实现无恒星标校模式下首次发令即建链、非测控区自动建链、建链成功率100%、通信误码率0。产品分五大系列,通信速率覆盖2.5Gbps至100Gbps;通过可变发散角等技术实现轻量化迭代,终端重量从14.5kg降至4.9kg。公司具备千台级量产能力,作为星地激光通信终端核心供应商支撑卫星互联网星座组网,未来延展至飞机、船舶、地面基站等全场景无线光网络,并联合产业链攻克高端芯片、高功率激光器等"卡脖子"环节。

技术路线聚焦数据中心高速光互联,解决AI算力通信瓶颈:以自研OIO光IO芯粒为核心,采用芯粒化架构与NPO/CPO(近封装/共封装光学)封装路径,覆盖高速光芯片、电芯片、先进3D光电封装与高效光耦合四大全自研环节。第一代产品将8个主流800G光模块的传输能力集成于单颗6.4T光互连芯片,单路速率200G,同等传输能力下体积仅传统方案1/10-1/5、功耗降至1/3、延迟降至1/100,面向GPU直连的Scale-up超节点网络与高密度Scale-out集群。产品形态包括独立光IO芯粒(支持NPO、CPO、XPO多种封装)、1.6T及以上高速硅光芯片与配套电芯片。封装工艺与芯片研发并行推进,目前芯片已完成测试点亮,客户排队测试,预计2027年下半年量产,客户覆盖云厂商、GPU厂商、系统集成商及光模块厂商。

稀疏化计算架构开辟AI芯片效率提升新路径。技术方向:稀疏化AI芯片。公司以双稀疏算法(权重与激活双稀疏,支持32倍稀疏率)与自研Antoum架构为核心,稀疏处理单元实现线性加速比,计算单元与大带宽片上存储紧耦合,支持卷积与矩阵乘法及算子融合。实测数据:S30计算卡在250W功率下提供等效2832 TOPS INT8与1415.4 TFLOPS BF16算力(32倍稀疏),ResNet-50稀疏等效算力95,784 FPS,以12nm制程达到4nm制程GPU产品的1.2倍、功耗仅为其1/3;S40计算卡ResNet-50算力127,375 FPS,达英伟达H100的1.4倍、A100的2.9倍;在1760亿参数BLOOM模型上4张S30实现25 tokens/s生成速度、超过8张A100,支持千亿参数级大模型单卡运行。产品矩阵包括S4/S10/S30/S40计算卡与SparseRT软件栈,应用于云端与边缘AI推理。

薄膜铌酸锂(TFLN)IDM平台。以特殊微纳加工工艺实现铌酸锂薄膜刻蚀,使波导侧壁极光滑,解决工业级量产的表面粗糙痛点;自研折叠型马赫-曾德尔调制器、分布式光强调制器、共面波导线电极结构等高速电光调制器与光芯片,用于高速光通信、可穿戴设备与汽车激光传感,产业化进度居世界前列。

聚焦12英寸晶圆前道明场纳米图形缺陷检测设备,自研超高精密光学成像、超高精度晶圆运动载台、高速图像采集与大数据处理、AI智能缺陷识别算法四大核心技术;TB1100面向65nm、TB1500面向40nm(已获订单并交付)、TB2000面向14—28nm(核心部件完成、上机试用),对标KLA垄断的前道检测。

广州晶优电子科技有限公司成立于2005年,位于广州高新技术产业开发区,专精特新中小企业、高新技术企业。专注于高精度晶体振荡器(频率元器件)研发生产销售,产品覆盖SPXO、VCXO、TCXO/VCTCXO、OCXO四大类。具备DIP插件式和SMD表面贴装式两种封装,在民用通信、卫星导航领域处于国内领先水平。拥有52项专利、37个注册商标,产品广泛应用于通讯基站、北斗/GPS系统等领域