候选项目库

碳化硅衬底是第三代半导体核心基础材料,突破单晶生长与加工良率瓶颈是该领域公认的卡脖子环节。公司在碳化硅晶体生长工艺、衬底加工等方面积累核心技术,致力于解决国产碳化硅衬底量产良率和成本问题,推动第三代半导体产业链自主可控

第四代超宽禁带半导体氧化镓(β-Ga2O3)单晶衬底与同质外延片。自主铸造法长晶工艺,掌握设备—热场—长晶—加工全链条;2025年生长全球首颗8英寸氧化镓单晶,2026年建成全球首条6/8英寸同质外延量产线并实现12英寸晶体等径生长,同质厚膜外延片已通过肖特基二极管器件验证;与深圳平湖实验室合作开发Mg(镁)掺杂氧化镓光导开关,在耐压、开关比和响应速度等指标上取得积极进展;布局氧化镓外延技术、无铱工艺等技术路线;已向头部芯片客户批量供货;牵头立项氧化镓晶体生长用保温制品相关团体标准,并参与氧化镓材料检测方法标准制定

公司技术兼容标准CMOS工艺,基于清华十余年成果转化。超光谱成像可同时获取空间信息和光谱信息,在遥感监测、食品安全、医疗诊断、国防侦察等领域具有广泛应用。公司致力于将超光谱成像芯片小型化、低成本化,推动其在消费电子和工业检测中的普及应用

薄膜铌酸锂(TFLN)具有优异电光效应和宽透光窗口,在高速光通信、量子信息和传感等领域应用前景广阔。公司致力于将薄膜铌酸锂材料制备、器件设计与芯片集成技术相结合,开发高速光通信核心器件,突破传统材料在带宽和集成度方面的瓶颈,为下一代光互联基础设施提供核心芯片解决方案

核心技术方向包括表面活化室温键合、异质集成复合衬底等前沿方向,致力于解决半导体衬底制备中的关键瓶颈问题。室温键合技术可在不经过高温退火的情况下实现晶圆级键合,大幅降低工艺能耗并拓展异质材料集成可能性,对先进半导体器件制造具有重要战略意义

公司迭代研发三代真空气压式纳米压印系统并形成超高温真空热压机型;2024年实现半导体级真空气压式纳米压印的光芯片DUV量产替代,成本降至DUV的1/10;2026年交付国产首台半导体级纳米压印光刻机。设备+材料+工艺闭环:在8英寸硅晶圆上以纳米压印实现光子芯片量产,全程无需DUV光刻机,成本约为传统方案十分之一。产品矩阵涵盖桌面式/研发型/量产型纳米压印设备与全体系纳米压印材料,应用覆盖芯片半导体制造、LED芯片、光电显示、生物医学、钙钛矿新能源等;客户包括美国南加州大学、新加坡南洋理工大学、加拿大滑铁卢大学微纳加工平台等国内外科研与产业客户。

薄膜铌酸锂(业内称“光学硅”)电光调制芯片及光子集成平台,替代意/美进口,解决光通信卡脖子问题。关键指标:单通道物理带宽200GHz以上、支持单通道200Gbps及以上传输;TFLN-110GHz强度调制器3dB带宽≥65GHz、6dB带宽≥100GHz、半波电压≤3.5V、插损≤4.5dB;通信速率较上一代体材料调制器快5-6倍。产品矩阵:强度/相位调制器芯片、阵列芯片、相干调制器芯片、多功能芯片、定制化光子芯片及射频封装调制器标准品,研发可支持3.2T超高速光模块的芯片。应用:800G/1.6T/3.2T高速光模块、数据中心、宽带电信、航空航天、激光雷达、量子通信等场景。

以BiCMOS为主、SOI工艺协同的复合技术路线研发高集成度抗辐照射频芯片,相比传统GaAs方案在集成度与量产成本上具备优势,支持多通道、多波束相控阵设计;并基于GaN异构封装覆盖S至W全毫米波频段。产品矩阵:覆盖S-Ka频段的收发机、功率放大器PA、低噪声放大器LNA等核心射频器件,并向多通道T/R组件、波束成形网络模组、SiP器件及国产宇航级毫米波T/R收发标准模块、一体化卫星载荷方案延伸。已完成多款核心芯片原型流片与功能验证,并经实星在轨验证形成“芯片—相控阵阵面—卫星载荷—地面接收站”全链路闭环。应用:低轨宽带卫星互联网星座、智能驾驶与远洋运输等车载/船载卫星通信、X/S波段全固态相控阵雷达。

纳米压印光刻(NIL)设备。相对EUV采购成本仅其数分之一、制造成本降低约40%,兼具超高分辨率与低能耗,被视为有望替代EUV的下一代光刻路线;自研对准精度、压印速率等核心模块,产品含ImprioVerse纳米压印设备与STPSENN步进重复式多功能平台,首台套已进入总装调试;公司为国内稀缺的半导体级纳米压印设备研发团队,作为唯一设备合作方参与张江实验室纳米压印项目

国内首条二维半导体工程化示范线。全球首款二维32位RISC-V处理器(良率99.77%),绕开硅基制程封锁

全球首创三维存算一体3D-CIM架构,用国产成熟工艺跑出等效7nm算力,绕开先进制程封锁。技术路线通过晶圆混合键合将存储与计算单元三维堆叠,融合DRAM三维近存计算、SRAM存算一体与RISC-V异构存算,消除数据搬运开销,破解传统冯·诺依曼架构的“存储墙”“功耗墙”瓶颈;实测流片结果显示算力密度提升4至6倍、能效比提升5至10倍。产品矩阵分两条路线:端侧LP-CIM系列与存储原厂深度协同,面向AI手机、AI PC、AI NAS、智能穿戴等场景;云侧PCIe标准接口芯片依托22nm国产成熟工艺,对标同类海外产品综合算力表现,并配套自研编译工具链、系统软件与大模型部署全软件栈。三维存算一体AI推理芯片将于近期实现规模量产,应用覆盖端、边、云全梯度算力与具身智能设备。

微纳结构光芯片与激光芯片的设计、研发和生产,处于光电子产业链上游芯片制造环节,支持III-V族化合物、硅基半导体、二维材料、金属材料等平台工艺。核心产品为DFB激光器芯片产业化(天津市首条产线),高端光通讯芯片进口率超90%、年产3600万颗,应用于5G基站、数据中心、骨干网络、光传感、AR增强现实等场景;并提供高端光电子芯片工艺设计、研发代工与表征分析服务(中试平台)。CEO曲迪拥有30余项授权专利,曾获第一届全国博士后创新创业大赛新一代信息技术赛道金奖;首席科学家黄翊东从事微纳结构光电子学研究二十余年、拥有数十项国际专利。公司还投资布局光谱芯片(与光科技)、激光光谱气体检测(极光智能)、化合物半导体外延(华兴激光)等产业链环节。

先进封装与化合物半导体材料,专注于集成电路先进封装关键材料研发生产销售。自主研发晶圆减薄临时键合材料已成功导入国内集成电路封测龙头企业,全面支撑终端应用企业规模化量产,彻底打破发达国家长期垄断。申请临时键合材料相关发明专利70余件获授权20余件/PCT2件

公司技术路线覆盖ArF与KrF(248nm)准分子激光光源,核心技术包括高功率准分子激光、高压脉冲电源、精密光学与控制系统,已掌握重频4kHz的193nm光刻光源核心技术。2020年交付国内首台40kW ArF光刻光源,支持28nm制程节点,打破美系长期垄断。产品矩阵包括RS222型光刻准分子激光器、KrF光源、IC检测激光器及OLED激光剥离设备(市占率70%以上),并启动LPP-EUV极紫外光源预研;配套建设总投资5亿元、年产30台(套)的光刻光源制造基地,产品应用于DUV光刻机光源系统。

卡脖子国产DPU头部·国家专精特新小巨人。技术方向:DPU芯片设计。技术路线为独创的KPU专用计算架构,并形成DSA领域专用计算架构加软件定义加速器(SDA)路线。产品分三系列:SWIFT思威高性能通用网络加速卡,企业称国内唯一核心技术完全自主研发的超低时延网卡,实测时延1.2μs,为Mellanox极速网卡的2—5倍;FLEXFLOW福来DPU智能网卡;CONFLUX功夫领域专用加速卡,为国内首款SQL运算加速卡,实测性能提升一个数量级。已完成三款DPU芯片迭代。

解决GPU间高速互联瓶颈,释放集群算力效能。技术方向:GPU间芯片通信。公司全栈自研Scale-up超节点互联方案ACCLink+ACCSwitch,对标英伟达NVLink+NVSwitch架构:ACCLink协议支持XPU间低时延无损通信,可实现纳秒级时延,具备Load/Store等完整指令语义,支持动态多播、在网计算、信用流控、缓存一致性与池化能力;ACCSwitch交换芯片最高支持4096个XPU互联、512个XPU组播优化,并兼容多种Scale-up网络协议,解决不同协议规范导致的互连互通难题。已完成ACCLink IP协议硅验证,正与国内XPU厂商围绕新一代AI芯片及超节点通信方案开展联合设计开发,并与整机厂商、运营商、云厂商在整机预研、Scale-up光互联等方向合作,为智算超节点提供Scale-up通信协议系统级解决方案、异构融合解决方案及万卡集群工程方案。

“系统与芯片协同设计”研发范式,围绕天基数字能源、天基可靠计算两大方向。天基数字能源:SDPC系列数字电源控制器——SDPC-A10星载光伏充电控制芯片于2026年6月完成激光单粒子摸底,6组参试样品均未出现单粒子闩锁或烧毁;SDPC-B10完成流片、基础功能测试与首批封装;SDPC-P10数字电源控制专用ASIC在研;自研核心算法搭载SJ-21及千帆系列多颗卫星完成数年在轨稳定运行,整套方案经千帆星座批量验证;配套电源管理辅助芯片、参考板卡与软件工具链。天基可靠计算:可靠性控制芯片、安全岛及任务定制化算力产品,核心F10芯片已完成算法与FPGA平台验证、计划2026年底流片;掌握异构融合先进封装技术。应用:卫星电源管理、星载可靠计算,服务航天科技集团、中国电科及商业星座客户。

技术路线为薄膜铌酸锂(TFLN)电光调制:开发出超大调制带宽(>110GHz)、超低驱动电压(<1V)、小尺寸(平方毫米量级)的TFLN电光调制器,以分立MZM调制器为商业化主力、异质集成(TFLN小芯片转移键合至硅光基板)为下一代差异化路线。产品矩阵:AI集群Scale-out短距光互联的800G/1.6T/3.2T IMDD光芯片;Scale-across与电信骨干网长距互联的800G/1.6T ZR相干光芯片(128G Baud PDM-IQ);67GHz/110GHz超高带宽强度调制器,面向微波光子与高速科研测试仪器。采用IDM全栈模式,自建'晶圆进—芯片出'工艺平台,支持BOX、COB、光引擎封装并交付KGD裸芯片与预封装器件,向NPO近封装小芯片延伸;应用覆盖AI数据中心光互联、通信网络、激光雷达、光计算等场景。

3D芯片架构提升算力密度与能效比。技术方向:3D算力芯片。AI大模型推理3D定制化芯片,通过3D IC架构解决“内存墙”难题;提出3D TokenPU立体架构,业界首家采用混合键合工艺实现3D堆叠芯片研发与大规模量产;2025年8月申请“交叉开关、片上系统及其访问控制方法、芯片”等核心专利

核心技术为红外三维光子晶体发热材料:通过规整三维光子晶体结构主动调控光路、锁定特定光波能量,实现特定波段红外高效加热与选择性辐射、定向热能传输,具备红外波段可调特性,被视为第四代制热技术;红外光子晶体芯片化,推动红外传感小型化。关键指标:加热效率95%以上,30秒快速升温,温差控制在±3°C,节能水平超过30%,兼具较高比例中长波红外辐射与轻薄柔性、稳定耐用特性。产品矩阵以红外光子晶体发热膜、发热板材为核心,衍生红外加热墙纸、电热暖画、电加热坐垫、工业加热膜、医疗烤灯、锂电池烘烤板等终端形态。应用覆盖柔性加热、工业烘干(锂电涂布烘干、风电叶片制造/修复、复合材料成型)、电池热管理、医疗理疗、家居采暖、船舶制造等,重点拓展智能制造、新能源汽车、医疗健康、消费电子四大方向。

集成电路前道工艺量检测设备,主打以套刻误差(Overlay)为核心的套刻量测装备及缺陷检测设备,为光刻大批量生产提供眼睛与尺子;设备误差需控制在允许误差的1/10(9nm套刻误差对应0.9nm),直接影响光刻良率;面向16nm以下先进制程需求;团队来自美国KLA上海研发中心、中科院微电子所与清华精仪系。路线:IBO用于28~14nm、DBO用于20~10nm;关键指标Precision<0.6nm;企业称前道量检测设备被KLA垄断(占有率56%)、国产套刻设备占有率<5%。

晶圆级光学(WLO)与光集成,以半导体工艺制造微纳光学元件,构建设计—母版—量产—检测全栈IDM闭环。三大产品线为3D传感微纳光学(供货国际一线手机厂商、出货数千万颗)、AR衍射光波导(含全息光栅、纳米压印与光刻刻蚀,国内出货第一)及车载激光雷达与光通讯微纳光纤;拥有47+项核心专利,为全球少数实现数千万颗级WLO量产企业。

脉冲视觉(Vidar)类脑/神经形态视觉芯片与高速相机。不同于传统定时曝光静态成像,在像素级用脉冲流逼近光的高速时空变化,输出0/1比特流阵列,实现超高速、高动态、无运动模糊连续成像;采样频率达4万Hz,比传统视频快千倍;基于成熟集成电路工艺研制高速视觉芯片、相机与机器视觉系统,专利在中美日韩欧授权。

技术方向:视频与生成式视频专用算力芯片,深度融入 RISC-V 生态,首创延迟确定性 DiPU 数据流架构与 3D 近存架构。产品与亮点:SL200 智能视频 SoC 及 Nano/Pro 加速卡、边缘算力盒子;MSU 世界视频编码大赛连续三届商业化赛道全部子赛道第一,较英伟达最新 AV1 方案压缩效率提升 30%–35%,累计出货近十万颗,快手直播转码覆盖率 99.7%。